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J-GLOBAL ID：201502245058059503   整理番号：15A0109195

錫ホイスカ形成に及ぼす電気めっきパラメータ及び基板材料の影響

The effect of electroplating parameters and substrate material on tin whisker formation

著者 (6件)： ASHWORTH M.a. (Dep. of Materials, Loughborough Univ., Loughborough, Leicestershire LE11 3TU, GBR) ,  WILCOX G.d. (Dep. of Materials, Loughborough Univ., Loughborough, Leicestershire LE11 3TU, GBR) ,  HIGGINSON R.l. (Dep. of Materials, Loughborough Univ., Loughborough, Leicestershire LE11 3TU, GBR) ,  HEATH R.j. (Dep. of Materials, Loughborough Univ., Loughborough, Leicestershire LE11 3TU, GBR) ,  LIU C. (School of Mechanical and Manufacturing Engineering, Loughborough Univ., Loughborough, Leicestershire LE11 3TU, GBR) ,  MORTIMER R.j. (Dep. of Chemistry, Loughborough Univ., Loughborough, Leicestershire LE11 3TU, GBR)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 55  号： 1  ページ： 180-191  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気めっき錫仕上げは,その優れたはんだ付け性,電気伝導性及び耐腐食性のためにエレクトロニクス産業で広く用いられる。しかし,使用中の錫ホイスカの自発的な成長は,局所電気短絡またはその他の有害な効果をもたらす可能性がある。最近まで,錫を鉛と合金化することによって,錫ホイスカ成長の低減に成功した。しかし,EUの法律(RoHS)の結果としての電子機器における鉛の使用制限から,代替低減戦略を見つけることに新しい関心が集まっている。堆積電流密度及び堆積物厚さなどの電気メッキパラメータを制御することによって,ホイスカ成長を,少なくとも部分的にでも,低減できるかどうかを決定するために,光沢スズ電着に関して,ホイスカ形成を調査した。ホイスカ成長に及ぼす基板材料及び55°C/湿度85%での貯蔵の影響も調査した。ホイスカ成長の研究から,堆積パラメータは,ホイスカ密度及びホイスカモフォロジーの両方に大きな影響を与えることが示唆される。堆積電流密度が増加すると,ホイスカ密度が減少し,潜在的により有害なフィラメントホイスカよりも大きな噴火型の形成へ移行する。錫被覆厚さを増加させることも,ホイスカ密度の減少をもたらす。その結果,真鍮上の堆積で,最もホイスカが発生し,一方,圧延銀上の錫堆積のホイスカは,銅上の錫堆積おいて観察されたホイスカよりも大きくなる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ホイスカ ,  *スズ ,  *電気めっき ,  基板 ,  材料 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子回折 ,  後方散乱 ,  集束イオンビーム ,  X線回折 ,  耐食性 ,  導電性
準シソーラス用語： EBSD ,  耐腐食性

分類 (1件)： 金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 錫 ,  ホイスカ ,  電気めっき ,  パラメータ ,  基板材料