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J-GLOBAL ID:201502245977011975   整理番号:15A0744458

グラフェン,シリセン及びゲルマネンナノリボン電界効果トランジスタの非平衡Green関数によるシミュレーション

Non-equilibrium Green function simulations of graphene, silicene, and germanene nanoribbon field-effect transistors
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 171-177 (J-STAGE)  発行年: 2015年 
JST資料番号: U0612A  ISSN: 2188-5303  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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筆者等は,10nmのゲート長さを持ったグラフェン,シリセン及びゲルマネンナノリボンを使用した電界効果トランジスタ(FET)のバリスティック性能の数値的解析を行ってきた。グラフェンナノリボンFETは,0.5eVにほぼ等しいバンドギャップ(Eg)を持つFETと比較したとき,最大のON電流を持つことが分かった。また,グラフェンデバイスは,有効質量が最も小さいことによりソース-ドレン間の直接トンネリングを高め,最大のOFF電流を示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  固体デバイス材料 
引用文献 (14件):
  • [1] K. S. Novoselov et al.: Electric field effect in atomically thin carbon films, Science, 306:5696 (2004), 666–669.
  • [2] S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Aktürk, H. Şahin, S. Ciraci: Two- and one-dimensional honeycomb structures of silicon and germanium, Phys. Rev. Lett., 102 (2009) 236804-1–236804-14.
  • [3] H. Sahaf et al.: Formation of a one-dimensional grating at the molecular scale by self-assembly of straight silicon nanowires, Appl. Phys. Lett., 90 (2007) 263110-1–263110-3.
  • [4] N. Zeyuan et al.: Tunable bandgap in silicene and germanene, Nano Lett., 12:1 (2012) 113–118.
  • [5] M. Fujita, K. Wakabayashi, K. Nakada, K. Kusakabe: Peculiar localized state at zigzag graphite edge, J. Phys. Soc. Jpn., 65:7 (1996) 1920–1923.
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