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J-GLOBAL ID：200902129751586544   整理番号：97A0476844

RF-ラジカル源分子ビームエピタクシーによるAl₂O₃(0001)上への自己組織化GaNナノ構造の成長

Growth of Self-Organized GaN Nanostructures on Al₂O₃(0001) by RF-Radical Source Molecular Beam Epitaxy.

著者 (5件)： YOSHIZAWA M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI A (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  MORI M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJITA N (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 4B  ページ： L459-L462  発行年： 1997年04月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 柱状のGaNナノ構造(GaNナノ柱)を作製し,走査電子顕微鏡...

シソーラス用語： ラジカル ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (9件)：

• 1) S. Strite and H. Morkoç: J. Vac. Sci. & Technol. B <b> 10</b> (1992) 1237
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 3) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939
• 4) M. Koguchi, H. Kakibayashi, M. Yazawa, K. Hiruma and T. Katsuyama: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 2061.
• 5) A. C. Chen, A. M. May, P. J. Pearah, K. C. Hsieh and K. Y. Cheng: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 1359

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  ラジカル ,  分子ビームエピタクシー ,  Al2O3 ,  自己組織化 ,  GaN ,  ナノ構造 ,  成長