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J-GLOBAL ID：201502247578560704   整理番号：15A0573501

Ga表面マイグレーションを利用したGaP上GaAsNSe混晶の成長過程の評価

著者 (6件)： 下村優樹 (室蘭工大) ,  五十嵐洋輔 (室蘭工大) ,  木村慎治 (室蘭工大) ,  鈴木悠平 (室蘭工大) ,  小原健太郎 (室蘭工大) ,  植杉克弘 (室蘭工大)
資料名： 日本表面科学会東北・北海道支部講演会講演予稿集  (日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2014  ページ： 40  発行年： 2015年03月09日 
JST資料番号： F1026A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 格子不整合 ,  *基板 ,  *リン化ガリウム ,  *結晶面 ,  *MBE成長 ,  *固溶体 ,  *ガリウム ,  *ヒ素 ,  *窒素 ,  *セレン ,  有機ヒ素化合物 ,  プラズマ ,  ラジカル ,  *エピタクシー ,  マイグレーション【化学物質】
準シソーラス用語： *分子ビームエピタクシー ,  *混晶 ,  RFプラズマ ,  *液滴エピタクシー

分類 (6件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  有機ひ素・アンチモン・ビスマス・ゲルマニウム化合物  (CF08050Y) ,  有機第13族元素化合物  (CF09030J) ,  脂肪族セレン・テルル化合物  (CF03170U)

物質索引 (2件)： トリエチルガリウム ,  ジ-tert-ブチルセレン

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  マイグレーション ,  GAP ,  混晶 ,  成長過程 ,  評価