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J-GLOBAL ID：201502249799332768   整理番号：15A0392341

中性子照射GaN中のDX様中心の補償機構

Compensation mechanism of DX-like center in neutron transmutation doped GaN

著者 (6件)： NAKAMURA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KAMIOKA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KURIYAMA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  KUSHIDA K. (Osaka Kyoiku Univ., Osaka, JPN) ,  XU Q. (Kyoto Univ., Osaka, JPN) ,  HASEGAWA M. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 205  ページ： 1-3  発行年： 2015年02月23日 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *深い準位 ,  機構 ,  補償 ,  *中性子照射 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  Rutherford後方散乱 ,  スペクトル ,  不純物準位
準シソーラス用語： *DX中心 ,  補償機構

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 中性子照射 ,  GaN ,  補償