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J-GLOBAL ID：201502251944175824   整理番号：15A0225060

Ge結晶薄膜の低温合成:フレキシブルデバイスへの応用を目指して

著者 (1件)： 弓野健太郎 (芝浦工大)
資料名： 真空ジャーナル  (Journal of Japan Vacuum Industry Association)
号： 151  ページ： 13-15  発行年： 2015年01月15日 
JST資料番号： L8030A  ISSN： 1883-1052  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フレキシブルデバイスへの応用をめざし,プラスチック基板上に高品質の半導体薄膜を作成する研究が行われている。Geは近年最先端のMOSFET用のチャネル層として研究が行われている。結晶化温度もSiより低くフレキシブル基板上の結晶薄膜として期待が持てる。最近Auを触媒金属として用いた金属誘起結晶化(MIC)法により,250°C(アニール時間150時間)での結晶化が報告されており,160cm²/Vsの高いホール易動度を得ることに成功している。一方著者等は更なるプロセス温度の低下やプロセス時間の短縮を実現するためサーファクタント・クリスタライゼーション(SC)法の提案を行っている。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  化学合成 ,  結晶化 ,  *フレキシブル基板 ,  *半導体薄膜 ,  界面活性剤 ,  金属誘起結晶化 ,  低温合成
準シソーラス用語： サーファクタント

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (5件)：

• Y. Yamamoto, Japanese Journal of Applied Physics 51 (2012) 060001
• C.O.Chui, S.Ramanathan, B.B.Triplett, P.C.Mclntyre, K.C.Saraswat, IEEE Electron Device Letters 23 (2002) 473
• J-H. Park, K. Kasahara, K. Hamaya, M. Miyao, T. Sadoh, Applied Physics Letters 104 (2014) 252110
• H. Miura, M. Kamiko, K. Kyuno, Japanese Journal of Applied Physics 52(2013) 010204
• S. Kodambaka, J. Tersoff, M. C. Reuter, F. M. Ross: Science 316 (2007) 729

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  結晶 ,  薄膜 ,  低温合成 ,  フレキシブルデバイス ,  応用