文献

J-GLOBAL ID：201502251997136839   整理番号：15A0274889

窒化ケイ素薄膜中に埋め込まれたシリコン量子ドットの特性と電荷貯蔵

Characteristics and Charge Storage of Silicon Quantum Dots Embedded in Silicon Nitride Film

著者 (6件)： LIAO Wugang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong Univ. of Sci. and Technol., 430074, Wuhan, Hubei, CHN) ,  ZENG Xiangbin (School of Optical and Electronic Information, Huazhong Univ. of Sci. and Technol., 430074, Wuhan, Hubei, CHN) ,  WEN Xixing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong Univ. of Sci. and Technol., 430074, Wuhan, Hubei, CHN) ,  ZHENG Wenjun (School of Optical and Electronic Information, Huazhong Univ. of Sci. and Technol., 430074, Wuhan, Hubei, CHN) ,  WEN Yangyang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong Univ. of Sci. and Technol., 430074, Wuhan, Hubei, CHN) ,  YAO Wei (Univ. of Sci. and Technol., Shenzhen Inst. of Huazhong, 518000, Shenzhen, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 3  ページ： 1015-1020  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ強化化学蒸着によりシリコンリッチ窒化ケイ素(SRSN)薄膜を製作した。高温アニーリング後にシリコン量子ドット(Si QDs)を得た。Fourier変換赤外分光法,X線回折,RamanとX線光電子分光法スペクトルを使って,析出したままとアニーリングした試料の構造挙動を調べた。アニーリング温度が650°C以上で30分間のとき水素に関連した結合が消失した。1100°CでアニーリングしたSRSN薄膜中に結晶とアモルファスSi QDsが共存した。Xeランプ下のSRSNの光ルミネセンス(PL)スペクトルを調べた。PLピークの赤色シフトと青色シフトはSi QDsのサイズと相進展のためで,PL強度はSi QDsのパッシベーション状態に依存した。容量電圧(C-V)測定によりAl/1100°CでアニーリングしたSRSN/n-Si/Al構造に対する電荷貯蔵の影響を調べた。スイーピング電圧±10VでC-Vヒステリシス幅が1.8Vに増加した。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  *量子ドット ,  埋込み【挿入】 ,  焼なまし ,  プラズマCVD ,  X線光電子分光法 ,  スペクトル ,  光ルミネセンス ,  容量電圧特性 ,  *帯電
準シソーラス用語： アニーリング ,  プラズマ強化化学蒸着 ,  光ルミネセンススペクトル ,  *電荷貯蔵

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  シリコン ,  量子ドット ,  電荷貯蔵