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J-GLOBAL ID:201502253140612175   整理番号:15A0704868

Si粒子表面に形成した鉄シリサイドの光触媒効果による水素生成

著者 (5件):
資料名:
巻: 95th  号:ページ: 611  発行年: 2015年03月11日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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鉄とシリコンによって構成される鉄シリサイド半導体の化学ポテンシャルは,その伝導帯の対水素標準電極電位がおよそ-0.7eVであり,水からの水素発生電位よりも負電位側に位置している。このことから,我々は鉄シリサイド半導体の光触媒作用による水素発生の可能性を検討するために,シリコン粉末の表面に鉄シリサイド半導体の微細粒子のを気相合成を検討した。さらにこの試料及び鉄シリサイド半導体粉末を,酸化犠牲剤溶液中で光照射した際の水素発生の評価結果について報告する。(著者抄録)
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分類 (1件):
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光化学反応 
物質索引 (1件):
物質索引
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