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J-GLOBAL ID：201502255015018728   整理番号：15A0223155

分子線エピタキシーを用いてInSb基板上に成長させた格子整合CdZnTe合金の少数キャリア寿命

Minority carrier lifetime of lattice-matched CdZnTe alloy grown on InSb substrates using molecular beam epitaxy

著者 (6件)： LIU Shi (Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State Univ. ...) ,  ZHAO Xin-hao (Center for Photonics Innovation and School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State Univ. ...) ,  CAMPBELL Calli (Center for Photonics Innovation and School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State Univ. ...) ,  DINEZZA Michael J. (Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State Univ. ...) ,  ZHAO Yuan (Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State Univ. ...) ,  ZHANG Yong-hang (Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State Univ. ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 1  ページ： 011207-011207-4  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InSb基板に格子整合した厚さ3μmのCd_0.9946Zn_0.0054Te中間層を含むCdZnTe/MgCdTe2重ヘテロ構造(DH)を分子線エピタキシーを用いて成長させた。室温で3.4×10²nsの長いキャリア寿命が実証された。これは同等の厚さのCdTe/MgCdTe DHのそれの約3倍である。この大幅な向上はCdZnTe合金におけるミスフィット転位密度の低減による。これに対して,InSb基板上に成長させた3μm厚CdTe層によるCdTe/MgCdTe DHは約30%の歪緩和を示し,それがより広いX線回折ピーク,より弱い積分光ルミネセンス強度,1.0×10²nsのより短い少数キャリア寿命に導いた。これらの知見はInSbに格子整合したCdZnTeが高性能大面積HgCdTe焦点面アレイのための仮想基板と共に高効率太陽電池への応用可能性を有することを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アンチモン化インジウム ,  *テルル化カドミウム ,  *テルル化カドミウム水銀 ,  *マグネシウム化合物 ,  *格子整合 ,  キャリア寿命 ,  *少数キャリア ,  不整合転位 ,  *光検出器アレイ ,  *太陽電池 ,  *MBE成長 ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *亜鉛化合物 ,  *赤外検出器 ,  光電流
準シソーラス用語： 焦点面アレイ

分類 (3件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子線エピタキシー ,  InSb ,  成長 ,  格子整合 ,  CdZnTe ,  合金 ,  少数キャリア寿命