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J-GLOBAL ID:201502255578540218   整理番号:15A0638803

2探針近接場分光技術の開発

Development of Dual-Probe Scanning Near-Field Optical Microscopy
著者 (3件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 286-291  発行年: 2015年05月20日 
JST資料番号: X0335A  ISSN: 0387-0200  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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光学顕微鏡での空間分解能の回折限界への挑戦は重要な課題である。その中で,近接場光学の利用が大きな注目を集めている。著者らは,SNOMを用いて,InGaN系半導体の発光機構の解明に取り組んできた。本報告では,2本のプローブによるDSNOMの開発と測定例を紹介した。DSNOM装置の開発を述べ,InGaNナノ構造におけるPLマッピングの応用を説明した。キャリアは,輻射および非輻射の再結合中心の分布だけでなく,局所的にポテンシャルの低い領域に拡散しながら再結合することが明らかとなった。また,表面プラズモンポラリトン伝搬の可視化にも応用した。DSNOMは,半導体ナノ構造やプラズモニクス,ナノ構造の評価や生体細胞のシグナル伝達などの解明に利用できる。
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分類 (2件):
分類
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光学的測定とその装置一般  ,  分光法と分光計一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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