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J-GLOBAL ID：201502256336606385   整理番号：15A0687967

原子層堆積したAl₂O₃膜とAl/Al₂O₃/Si構造に及ぼすH₂プラズマと焼なましの影響

Effects of H₂ plasma and annealing on atomic-layer-deposited Al₂O₃ films and Al/Al₂O₃/Si structures

著者 (4件)： CHOI Kyeong-Keun (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyeongbuk, KOR) ,  KEE Jong (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyeongbuk, KOR) ,  PARK Chan-Gyung (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyeongbuk, KOR) ,  KIM Deok-Kee (Sejong Univ., Seoul, KOR)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 4  ページ： 045801.1-045801.4  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/Al₂O₃/Siを用いて電流電圧特性と容量電圧特性に及ぼす水素プラズマと熱処理の影響を評価した。水素プラズマ処理はC濃度を低下させ,Si原子とO原子の拡散及び平均絶縁破壊電界強度を高めた。絶縁破壊電界は高速熱アニーリング(RTA)後に有意に上昇し,これは結晶化とSiとAl₂O₃の間の界面層の形成に起因することを,TEM,二次イオン質量分析(SIMS),三次元原子プローブトモグラフィーにより確認した。水素プラズマ処理はCとH₂のアウトガスに起因する負の固定電荷を発生させ,RTAは正の固定電荷を発生させた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  多層膜 ,  ウエハ【IC】 ,  *焼なまし ,  *プラズマ曝露 ,  プラズマ ,  結晶化 ,  二次イオン質量分析 ,  トモグラフィー ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： Si基板 ,  原子プローブトモグラフィー ,  原子層堆積 ,  水素プラズマ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (22件)：

• A. Niskanen, K. Arstila, M. Ritala, and M. Leskela, J. Electrochem. Soc. 152, F90 (2005).
• M. D. Groner, J. W. Elam, F. H. Fabreguette, and S. M. George, Thin Solid Films 413, 186 (2002).
• M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam, and S. M. George, Chem. Mater. 16, 639 (2004).
• M. Benmalek and H. M. Dunlop, Surf. Coatings Technol. 76-77, 821 (1995).
• S. Jakschik, U. Schroeder, T. Hecht, M. Gutsche, H. Seidl, and J. W. Bartha, Thin Solid Films 425, 216 (2003).

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  Al ,  Si ,  H2 ,  プラズマ ,  焼なまし