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J-GLOBAL ID：201502256338180415   整理番号：15A0556302

TSVsとして高分子絶縁を持つ超低抵抗率シリコンピラーを用いた新しいインターポーザ技術の電気特性

Electrical characteristics of a novel interposer technique using ultra-low-resistivity silicon-pillars with polymer insulation as TSVs

著者 (7件)： WANG Weijiang (School of Information and Electronics, Beijing Inst. of Technol., Beijing 100081, CHN) ,  YAN Yangyang (School of Information and Electronics, Beijing Inst. of Technol., Beijing 100081, CHN) ,  DING Yingtao (School of Information and Electronics, Beijing Inst. of Technol., Beijing 100081, CHN) ,  WANG Shiwei (School of Information and Electronics, Beijing Inst. of Technol., Beijing 100081, CHN) ,  WANG Weimin (School of Information and Electronics, Beijing Inst. of Technol., Beijing 100081, CHN) ,  SUN Yipeng (School of Information and Electronics, Beijing Inst. of Technol., Beijing 100081, CHN) ,  CHEN Qianwen (School of Information and Electronics, Beijing Inst. of Technol., Beijing 100081, CHN)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 137  ページ： 146-152  発行年： 2015年04月02日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,導体として超低抵抗率を持つシリコンピラーを一方線形層として高分子ベンゾシクロブテン(BCB)を用いた新しいシリコンインターポーザ技術を提案した。提案したインターポーザ構造の製造流れを開発しそして実装した。伝送特性と信号歪特性を含む,電気特性を,其々,ANSYSのHFSSソフトウェアおよびAgilentのADSソフトウェアの様な,3D全波シミュレータおよびSPICE型回路シミュレータを用いて調査し,そして提供した。電気特性評価に及ぼすシリコン基板の幾何学的パラメータと抵抗率の影響を,周波数領域および時間領域両方で調査した。結果は,提案したインターポーザが,低い周波数での僅かな劣化に拘わらず,0.1GHzから10GHzまでの周波数領域で,在来のCuベースのシリコン貫通ビア(TSV)構造と同等の反射減衰量および挿入損のような電気性能を持つことを示したが,しかしそれは後者の技術と比較して大変より単純でそしてより実現可能なプロセスを含んだ。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バイアホール ,  *固体回路部品 ,  ケイ素 ,  電気抵抗率 ,  高分子 ,  伝送特性 ,  信号歪 ,  電気特性 ,  周波数領域 ,  挿入損
準シソーラス用語： ANSYS ,  HFSS ,  *TSV【配線】 ,  *インターポーザ ,  シリコン貫通ビア ,  ピラー ,  幾何学的パラメータ ,  時間領域 ,  反射減衰量

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電波伝搬一般  (ND05010Q)

物質索引 (1件)： ベンゾシクロブテン

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子 ,  絶縁 ,  低抵抗 ,  シリコン ,  ピラー ,  インターポーザ ,  電気特性