文献

J-GLOBAL ID：201502260577925624   整理番号：15A0446998

銅/カーボンナノチューブ複合体を充填したスルーシリコンビア相互接続の作製及び電気的性能

Fabrication and electrical performance of through silicon via interconnects filled with a copper/carbon nanotube composite

著者 (2件)： FENG Ying (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487) ,  BURKETT Susan L. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 2  ページ： 022004-022004-7  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,Cuベース相互接続を用いるときに遭遇する問題の可能な解決法として,スルーシリコンビア(TSV)を,銅(Cu)及び垂直成長カーボンナノチューブ(CNT)の複合体からなる材料系を用いて作製した。金属シード層,タングステン,をCNT成長前に堆積した。タングステンは,CNT成長温度におけるCuの熱的感度により,シード層としてCuに取って代わった。CNTは,化学蒸着により,ウエハ表面及びシリコンビア内面の両方に成長させた。自律濃縮プロセスを応用して,等しいトップ及びボトム寸法をもつフォレストから,ボトムに較べてトップが非常に小さい寸法をもつ束へCNTの形状を修正した。このプロセスは,Cu電気めっき溶液とCNTとの間の接触面積を最大にした。Cuを,CNT成長後,周期的パルス電気めっきにより堆積し,Cu/CNT複合体を形成した。ウエハ薄層化及び研磨は,テスト構造を形成するTSV作製を完了し,電気的性能を評価した。実験結果を,純Cuで充たした相互接続とCu/CNT複合体で充たしたものとで比較した。結果は,TSV相互接続材料としてのCu/CNT複合体の可能な応用を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バイアホール ,  *ケイ素 ,  *相互接続 ,  *銅 ,  *カーボンナノチューブ ,  *化学蒸着 ,  下層 ,  タングステン ,  形態 ,  めっき液 ,  *ナノ複合材料 ,  *電気めっき
準シソーラス用語： シード層 ,  *スルーシリコンビア

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 銅 ,  カーボンナノチューブ ,  複合体 ,  スルーシリコンビア ,  相互接続 ,  作製