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J-GLOBAL ID：201502261366408972   整理番号：15A0395629

ヘテロ構造デバイスのための高品質h-BN膜のCVD合成

CVD synthesis of high-quality h-BN films for heterostructure devices

著者 (5件)： UCHIDA Yuki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IWAIZAKO Tasuku (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TSUJI Masaharu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AGO Hiroki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AGO Hiroki (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 48th  ページ： 172  発行年： 2015年02月21日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *化学蒸着 ,  品質 ,  固体素子 ,  *窒化ホウ素 ,  FET【トランジスタ】 ,  銅 ,  ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  光学顕微鏡法 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *ヘテロ構造 ,  高品質

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ構造 ,  高品質 ,  h-BN ,  CVD