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J-GLOBAL ID：201502261740773078   整理番号：15A0700986

GaInP p-i-n太陽電池に関する光学的キャラクタリゼーション

Optical characterization of GaInP p-i-n solar cells

著者 (8件)： LI Yun-Guang (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  LIN Der-Yuh (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  KO Tsung-Shine (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  WU Jenq-Shinn (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  WU Chih-Hung (Inst. Nuclear Energy Res., Kaohsiung, TWN) ,  TSAI Yu-Li (Inst. Nuclear Energy Res., Kaohsiung, TWN) ,  KAO Ming-Cheng (Hsiuping Univ. Sci. and Technol., Taichung, TWN) ,  CHEN Hong-Zen (Hsiuping Univ. Sci. and Technol., Taichung, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DR06.1-04DR06.5  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4種類のp-i-n GaInP太陽電池を,有機金属化学蒸着(MOCVD)によって,0.25~1μmの真性層厚で成長させた。電界反射(ER),光ルミネセンス(PL)および光電流(PC)測定を含む一連の光学測定を行って,ビルトイン電場効果を調べ,真性層の適正厚さを決定した。PLおよびELスペクトルは,GaInP層の結晶品質を反映した。さらに,ERスペクトルから,真性層でのビルトイン電場を明らかにした。種々のバイアス電圧下でのPCスペクトルから光生成キャリアの収集に及ぼすビルトイン電場の効果を調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *化合物半導体 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  *PIN接合 ,  MOCVD ,  電界反射 ,  光ルミネセンス ,  電場 ,  光電流 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ビルトイン電場 ,  リン化インジウムガリウム

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (33件)：

• R. E. Smalley, MRS Bull. 30 [06], 412 (2005).
• T. Taima, M. Chikamatsu, Y. Yoshida, K. Saito, and K. Yase, Appl. Phys. Lett. 85, 6412 (2004).
• A. Fantoni, M. Viera, and R. Martins, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 73, 151 (2002).
• X. J. Shang, J. F. He, H. L. Wang, M. F. Li, Y. Zhu, Z. C. Niu, and Y. Fu, Appl. Phys. A 103, 335 (2011).
• A. Fukuyama, T. Aihara, Y. Yokoyama, M. Kojima, H. Fujii, H. Suzuki, M. Sugiyama, Y. Nakano, and T. Ikari, Phys. Status Solidi A 211, 444 (2014).

タイトルに関連する用語 (4件)： GaInP ,  太陽電池 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション