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J-GLOBAL ID：201502262491651575   整理番号：15A0434661

マグネシウムの傾斜角イオン注入を使ったGaN MISFETの閾値電圧制御

THRESHOLD VOLTAGE CONTROL OF GaN MISFETs USING TILT ANGLE ION IMPLANTATION OF MAGNESIUM

著者 (5件)： KASAI Hayao (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OIKAWA Takuya (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OGAWA Hiroki (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MISHIMA Tomoyoshi (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA Tohru (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 33  ページ： 91-96  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaN MISFETの閾値電圧制御に対する傾斜Mgイオン注入の影響を初めて実証した。Mg注入を行うと,MISFETの閾値電圧は最高1.5Vシフトし,Mgを行わない場合,-5Vであった。このGaN MISFETは165mA/mmの最高ドレイン電流と30mS/mmの外因性相互コンダクタンスを達成した。これら結果は,電力スイッチング素子への応用にノーマリーオフ型GaN MISFETに著者らのプロセスが明らかに利用できることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *MISFET ,  マグネシウム ,  *イオン注入 ,  電圧 ,  相互コンダクタンス ,  スイッチング素子 ,  回路特性
準シソーラス用語： ノーマリーオフ型 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネシウム ,  傾斜角 ,  イオン注入 ,  GaN ,  MISFET ,  閾値電圧