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J-GLOBAL ID：201502265645119960   整理番号：15A0541482

ファイバレーザポンピング源用の高出力レーザダイオードモジュール

High Power Laser Diode Module for Fiber Laser Pumping Source

著者 (5件)： SAKAMOTO Akira (Fujikura Ltd.) ,  OGAWA Hirokuni (Fujikura Ltd.) ,  SAKAMOTO Shinichi (Fujikura Ltd.) ,  YAMAGATA Yuji (Optoenergy Inc.) ,  YAMADA Yumi (Optoenergy Inc.)
資料名： Fujikura Technical Review  (Fujikura Technical Review)
号： 44  ページ： 11-15  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： X0696A  ISSN： 0388-225X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力レーザダイオードモジュールは,その特性がファイバレーザシステムの性能に直接に影響するため,ファイバレーザシステムに対して本質的なデバイスである。光通信デバイスで開発した組立技術とOPTOENERGY Inc.で開発した高出力レーザダイオードチップとを組合わせて高出力で高信頼性のレーザダイオードモジュールを実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ファイバレーザ ,  *レーザ励起 ,  *高出力レーザ ,  *半導体レーザ ,  光通信 ,  組立 ,  *半導体チップ ,  *信頼性 ,  多モード ,  レーザ損傷 ,  加速試験 ,  寿命試験 ,  時間 ,  故障モード ,  マルチチップ実装 ,  回路モジュール
準シソーラス用語： レーザポンピング ,  加速寿命試験 ,  MTTF ,  マルチチップモジュール

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (13件)：

• M.R. Gokhale, et. al.: ”High-Power High-Efficiency 0.98-um Wavelength InGaAs- (In) GaAs (P)-InGaP Broadened wave-guide Lasers Grown by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy”, IEEE Journal of Quantum Electronics, 33 pp. 2266- 2276, 1997.
• S. O'Brien, et. al.: ” 9.3W CW (In)AlGaAs 100μm wide lasers at 970 nm”, Electron.Lett., 33, pp. 1869-1870, 1997.
• A. Al-Muhanna, et. al. :” High-power ( > 10 W) continuous-wave operation from 100-mm-aperture 0.97-mm-emitting Al-free diode lasers”, Appl. Phys. Lett., 73, pp. 1182-1184, 1998.
• X. He, et. al.: ” 10.9W continuous-wave optical power from 100um aperture InGaAs/AIGaAs (915nm) laser diodes ” Electron. Lett., 34, pp.2126-2127, 1998.
• J. K Wade, et al. :” 8.8W CW power from broadwaveguide Al-free active region (λ = 805 nm) diode lasers”, Electron., Lett.,34, pp.1100-1101, 1998.

タイトルに関連する用語 (5件)： ファイバ ,  レーザポンピング ,  高出力レーザ ,  ダイオード ,  モジュール