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J-GLOBAL ID：201502267366495075   整理番号：15A0476974

絶縁破壊動作分析のためのRF MOSFET用の改善された4端子等価回路網モデル

An Improved Four-Port Equivalent Circuit Model of RF MOSFETs for Breakdown Operation

著者 (3件)： LEE Chie-In (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIN Yan-Ting (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIN Wei-Cheng (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 15  号： 1  ページ： 109-114  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの高電界における雪崩降伏に関するモデル化が,デバイスの性能低下がRF回路動作に大きな影響を与えるために信頼性にかかわる重要な課題である。そのために従来からRF信号を扱える小信号4端子回路モデルがあるが,破壊領域での直流測定によるRF性能の信頼性評価は困難であった。この論文では,MOSFET用の4端子RFモデルを発展させ,信頼性の懸念事項であるさまざまなRF破壊現象を初めて調査した。この改善した4端子RFモデルを誘導性破壊ネットワークに組み込みながら使って,ドレインソース間分離が劣化するとともに誘導性の性質を示すようになることを分析した。さらに,破壊領域における誘導性の原因となるインピーダンスの低下を連続したフィードバック機構と相互コンダクタンスの劣化に基づき分析した。このモデルによる16の4端子Sパラメータのシミュレーション結果は測定結果と良く一致し有効性が証明できたので,このモデルは信頼性を考慮したRF増幅器の設計に有益である。

シソーラス用語： *MOSFET ,  信頼度 ,  評価 ,  電気回路 ,  *絶縁耐力 ,  電子なだれ ,  絶縁破壊 ,  電圧 ,  臨界 ,  等価回路 ,  回路モデル ,  四端子回路 ,  *トランジスタモデル ,  *マイクロ波トランジスタ ,  精密測定
準シソーラス用語： RF回路 ,  Sパラメータ ,  アバランシェ降伏 ,  四端子法 ,  信頼性評価 ,  雪崩降伏 ,  等価回路モデル ,  半導体デバイス信頼性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁破壊 ,  動作分析 ,  RF ,  MOSFET ,  等価回路 ,  モデル