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J-GLOBAL ID：201502269883646353   整理番号：15A0506148

X-線光電子分光法による非晶質InGaZnO/シロキサン不動態化薄膜の界面における酸素空孔の解析

Analysis of Oxygen vacancies in the Interface of amorphous InGaZnO / Siloxane passivation film by X-ray photoelectron spectroscopy

著者 (7件)： KULCHAISIT Chaiyanan (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  YAMAZAKI Haruka (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  BERMUNDO Juan Paolo (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  FUJII Mami (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  HORITA Masahiro (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  ISHIKAWA Yasuaki (Nara Inst. of Sci. and Technol.) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.11P-D1-16  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  X線光電子分光法 ,  不動態化 ,  薄膜トランジスタ ,  *表示装置
準シソーラス用語： IGZO【半導体】

分類 (1件)： 入出力装置  (JC04050U)

タイトルに関連する用語 (9件)： X-線 ,  光電子分光法 ,  非晶質 ,  シロキサン ,  不動態化 ,  薄膜 ,  界面 ,  酸素空孔 ,  解析