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J-GLOBAL ID：201502270073938097   整理番号：15A0506777

Sr₂SiO₄ターゲットで作製したSr₂SiO₄膜組成のアニール温度依存性

著者 (13件)： 今西啓司 (兵庫県大) ,  谷脇将太 (兵庫県大) ,  馬野光博 (兵庫県大) ,  堀田育志 (兵庫県大) ,  堀田育志 (JST-CREST) ,  吉田晴彦 (兵庫県大) ,  吉田晴彦 (JST-CREST) ,  新船幸二 (兵庫県大) ,  新船幸二 (JST-CREST) ,  小椋厚志 (明治大) ,  小椋厚志 (JST-CREST) ,  佐藤真一 (兵庫県大) ,  佐藤真一 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-D8-1  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ酸ストロンチウム ,  *パルスレーザ蒸着 ,  膜厚 ,  基板温度 ,  焼なまし ,  X線光電子スペクトル ,  化学組成 ,  温度 ,  酸化物 ,  薄膜
準シソーラス用語： ポストアニーリング ,  *アニーリング温度 ,  酸化物薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Sr2SiO4 ,  ターゲット ,  作製 ,  膜組成 ,  アニール ,  温度依存性