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J-GLOBAL ID：201502270175408190   整理番号：15A0274874

Cu(Zn)基板上に電気めっきした薄いSn膜の微細構造進展とホイスカ成長の可能性

Microstructural Development and Possible Whiskering Behavior of Thin Sn Films Electrodeposited on Cu(Zn) Substrates

著者 (7件)： STEIN J. (Max Planck Inst. for Intelligent Systems (Formerly Max Planck Inst. for Metals Research), Heisenbergstr. 3, 70569 ...) ,  STEIN J. (Robert Bosch GmbH, Automotive Electronics/Engineering Assembly Interconnection Technol. (AE/EAI2), Robert-Bosch-Str. ...) ,  TINEO C. A. Cordova (Univ. of Stuttgart, Inst. for Materials Sci., 70569, Stuttgart, DEU) ,  WELZEL U. (Max Planck Inst. for Intelligent Systems (Formerly Max Planck Inst. for Metals Research), Heisenbergstr. 3, 70569 ...) ,  HUEGEL W. (Robert Bosch GmbH, Automotive Electronics/Engineering Assembly Interconnection Technol. (AE/EAI2), Robert-Bosch-Str. ...) ,  MITTEMEIJER E. J. (Max Planck Inst. for Intelligent Systems (Formerly Max Planck Inst. for Metals Research), Heisenbergstr. 3, 70569 ...) ,  MITTEMEIJER E. J. (Univ. of Stuttgart, Inst. for Materials Sci., 70569, Stuttgart, DEU)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 3  ページ： 886-894  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 試料の微細構造と(残留)応力進展を,集束イオンビーム顕微鏡とX線回折解析を使って,15wt.%Znと36wt.%Znを含むCu(Zn)基板の上に電気めっきしたSn薄膜の室温におけるエージング挙動を評価して調べた。比較のために,純Cu基板上に電気めっきしたSn薄膜で並行した実験と同様の解析を行った。Cu基板上にめっきしたSn薄膜ではSnホイスカ発生は見られたが,Cu(Zn)基板上にめっきしたSn薄膜にはホイスカ発生が見られなかった。Cu基板をZnと合金化するとSn/Cu(合金)界面における金属間化合物Cu₆Sn₅の生成速度が大きく低下することが分かった。数週間のエージング後に応力の全体的な圧縮状態が進展したが,実験を行った全期間に対してCu(Zn)基板上のSn薄膜にはホイスカの発生は無かった。Sn薄膜中の均一な圧縮応力はホイスカ生成に寄与しない,負の応力勾配の存在がSnホイスカ成長に重要であるとの結論に達した。Copyright 2014 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ホイスカ ,  *スズめっき ,  電気めっき ,  微細構造 ,  残留応力 ,  集束イオンビーム ,  X線回折 ,  金属間化合物 ,  反応速度 ,  圧縮応力 ,  勾配 ,  過程 ,  *黄銅
準シソーラス用語： エージング過程 ,  *スズホイスカ ,  応力勾配 ,  生成速度

分類 (1件)： 電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  Zn ,  電気めっき ,  Sn ,  微細構造進展 ,  ホイスカ ,  成長 ,  可能性