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J-GLOBAL ID：201502276045834780   整理番号：15A0004151

カーボンナノチューブ電気伝導特性に及ぼす三次元ひずみ場の影響

著者 (3件)： 大西正人 (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  鈴木研 (東北大 大学院工学研究科) ,  三浦英生 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： 日本機械学会M&M材料力学カンファレンス(CD-ROM)  (日本機械学会M&M材料力学カンファレンス講演論文集(CD-ROM))
巻： 2013  ページ： ROMBUNNO.OS1001  発行年： 2013年10月10日 
JST資料番号： L0191B  ISSN： 2424-2845  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CNTの電子構造は機械的ひずみにより変化することが知られており,CNTを用いた新しいデバイスの設計や高感度ひずみセンサの実現が期待される。一方,CNT電子デバイスやセンサの性能ばらつきが懸念されるため,CNTの電気伝導特性に及ぼすひずみの影響解明が,今後のCNT電子デバイスの普及には必要不可欠である。本研究では,変形によるCNT内部の軌道混成が及ぼすCNTの電子構造への影響を明らかにするため,分子動力学解析と第一原理解析を用い,複雑な屈曲ひずみ周辺で生じる半径方向ひずみによる軌道混成の発生メカニズムを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  導電性 ,  *歪場 ,  固体素子 ,  *配位混合 ,  *電子構造 ,  分子動力学 ,  計算機シミュレーション ,  第一原理 ,  軸方向 ,  半径方向 ,  バンドギャップ ,  密度汎関数法 ,  電子相関
準シソーラス用語： PW91

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分子間相互作用  (BH07020P) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ ,  電気伝導特性 ,  ひずみ場