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J-GLOBAL ID：201502277940647720   整理番号：15A0601225

第一原理計算による触媒表面基準エッチング法の加工メカニズムに対する解析

著者 (9件)： 木谷直隆 (大阪大 大学院) ,  礒橋藍 (大阪大 大学院) ,  BUI Pho Van (大阪大 大学院) ,  杉浦崇仁 (大阪大 大学院) ,  稲垣耕司 (大阪大 大学院) ,  木崎栄年 (大阪大 大学院) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院) ,  森川良忠 (大阪大 大学院) ,  山内和人 (大阪大 大学院)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2015  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.I16  発行年： 2015年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 第一原理計算により,これまで未解明であった触媒表面基準エッチング法(CARE)の加工メカニズムの調査を行った。Ptとα-SiO2の界面で生じるSiO2の加水分解反応を解析した結果,Ptの存在下で,水分子の解離とターゲットSiの5配位化,Si-O結合の開裂とH+移動の各過程に要する活性化エネルギーが低下し,Ptの触媒作用による被加工物の加水分解反応の促進がCAREの加工メカニズムであると分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： 計算 ,  第一原理 ,  *エッチング ,  化学 ,  触媒活性 ,  触媒反応 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  加水分解 ,  *半導体材料
準シソーラス用語： エッチング特性 ,  化学エッチング ,  加水分解反応 ,  触媒化学 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理計算 ,  触媒 ,  エッチング ,  メカニズム ,  解析