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J-GLOBAL ID：201502278652037957   整理番号：15A0473268

55μA GexTe1-x/Sb2Te3超格子トポロジカルスイッチングランダムアクセスメモリ(TRAM)とGe-Te及びSb-Te構造における原子配列の研究

55-μA Ge_xTe_1-x/Sb₂Te₃ superlattice topological-switching random access memory (TRAM) and study of atomic arrangement in Ge-Te and Sb-Te structures

著者 (11件)： TAKAURA N. (Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN) ,  OHYANAGI T. (Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN) ,  TAI M. (Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN) ,  KINOSHITA M. (Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN) ,  AKITA K. (Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN) ,  MORIKAWA T. (Low-power Electronics Association & Project, Ibaraki, JPN) ,  SHIRAKAWA H. (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  ARAIDAI M. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SHIRAISHI K. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SAITO Y. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TOMINAGA J. (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2014  ページ： 685-688  発行年： 2014年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GeTe/Sb2Te3超格子(SL)の高角度環状暗視野(HAADF)走査透過型電子顕微鏡(STEM)画像とTRAMの特性についてGe-Te及びSb-Teの原子配列に与える影響を示し,いくつかの新しいSL構造とその優れた電気的特性について報告する。GexTe1-x/Sb2Te3超格子トポロジカル・スイッチング・ランダムアクセスメモリ(TRAM)を開発した。ULSIグレードデバイスに対応する最小電流値,55μAのセット/リセット電流が得られた。Ge-Te構造の解析と新しい超格子の製造により,TRAMのリテンション,耐久性,電気的特性を初めて明らかにした。

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *超格子 ,  *RAM【メモリ】 ,  *位相幾何学 ,  *スイッチング ,  *超LSI ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  保持 ,  耐久性 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： TRAM ,  トポロジー ,  ULSI ,  高抵抗 ,  低抵抗

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 超格子 ,  Ge ,  Te ,  Sb ,  原子配列 ,  研究