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J-GLOBAL ID：201502282377005788   整理番号：15A0336480

FinFET寄生抵抗の為の正確な閉表現モデル

An accurate closed-expression model for FinFETs parasitic resistance

著者 (2件)： PEREIRA A.S.N. (Dep. of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Sao Bernardo do Campo, Sao Paulo 09850, BRA) ,  GIACOMINI R. (Dep. of Electrical Engineering, Centro Universitario da FEI, Sao Bernardo do Campo, Sao Paulo 09850, BRA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 55  号： 3-4  ページ： 470-480  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 寄生要素を迅速に見積もれるFinFET(Fin電界効果トランジスタ)寄生抵抗の為の新しい閉表現解析モデルを本研究で提案し評価した。寄生抵抗は,微細化したデバイスの性能と信頼性劣化にたいする最も重要なパラメータの一つである。モデルは三次元シミュレーションで見られる電流分布に基づき,実験データと比較すると非常に正確である。コンタクト抵抗を可変インピーダンス伝送線モデルでモデル化し,ソースとドレイン形状をこの領域の実形状に近似した。モデルは閉表現であって調整パラメータは無い。すべての結果を文献にある二つの以前のモデルと比較すると,提案モデルは最も精度が高く,異なるソースとドレインのドーピング濃度,コンタクト長,拡張長さ,コンタクト比抵抗,フィン幅に対して誤差は10%以下である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電気抵抗 ,  FET【トランジスタ】 ,  *モデリング ,  解析モデル ,  シミュレーション ,  電流分布
準シソーラス用語： *FinFET ,  *寄生抵抗 ,  三次元シミュレーション ,  半導体素子モデリング

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： FinFET ,  寄生抵抗 ,  表現 ,  モデル