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J-GLOBAL ID：201502284224036008   整理番号：15A0434658

O₂を導入した反応性スパッタリングにより蒸着したAlドープCeO₂薄膜の電気・結晶化特性

ELECTRICAL AND CRYSTALLIZATION PROPERTIES OF Al DOPED CeO₂ THIN FILMS DEPOSITED BY REACTIVE RF SPUTTERING WITH O₂ INTRODUCTION

著者 (8件)： FUJIYAMA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OHSAWA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  NOTANI Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  HARA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  AOKI K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  ISHIBASHI K. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 33  ページ： 77-82  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k材料としてのCeO₂の可能性を調べるため,その薄膜を形成した。Ar+O₂雰囲気中,Al板を付けたCeO₂ターゲットの高周波マグネトロンスパッタリングにより,p型Si(100)基板上へAlをドープしたCeO₂膜を,O₂流量比を0,2,6,10%として蒸着した。ポストアニーリングをN₂雰囲気中,200-600°Cの温度で行った。できた薄膜はX線回折と透過型電子顕微鏡により特性を調べた。蒸着した膜は本質的に非晶質で,いくらか微結晶領域が存在することが分った。400°Cでアニーリングを行った後,誘電率が低下し,漏れ電流が増大したが,これは微結晶構造が破壊されたためと解釈した。

シソーラス用語： *酸化セリウム ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  *反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  焼なまし ,  X線回折分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  誘電材料 ,  *漏れ電流 ,  *誘電率 ,  微結晶 ,  雰囲気 ,  アルゴン
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  ポストアニーリング ,  高k材料 ,  酸素雰囲気

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： O2 ,  反応性スパッタリング ,  蒸着 ,  Al ,  ドープ ,  薄膜 ,  結晶化