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J-GLOBAL ID：201502286183301870   整理番号：15A0440560

スパッタされた薄膜のNdFeB磁石と一体化したポリジメチルシロキサンダイアフラム

A polydimethylsiloxane diaphragm integrated with a sputtered thin film NdFeB magnet

著者 (6件)： ZHI Chao (Tokyo Inst. of Technol., Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Yokohama, JPN) ,  SHINSHI Tadahiko (Tokyo Inst. of Technol., Precision and Intelligence Lab., Mail Box: R2-38, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, 226-8503 ...) ,  UEHARA Minoru (Hitachi Metals, Ltd., Magnetic Materials Res. Lab., Osaka, JPN) ,  MATSUTANI Akihiro (Tokyo Inst. of Technol., Technical Dep., Semiconductor and MEMS Processing Center, Yokohama, JPN) ,  YUITO Isamu (Waseda Univ., Inst. for Nanoscience and Nanotechnology, Tokyo, JPN) ,  TAKEUCHI Teruaki (Waseda Univ., Inst. for Nanoscience and Nanotechnology, Tokyo, JPN)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 21  号： 3  ページ： 675-681  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,マイクロポンプ,エネルギーハーベスタ,触覚表示装置などに使用することができ,スパッタ薄膜の永久磁石(TFPM)と一体化されるポリジメチルシロキサン(PDMS)ダイアフラムを可能とするMEMS製造プロセスを提案した。厚さ300nmのNdFeBと10nm厚のTaとの順次堆積された多層からなる,14.8μm厚TFPMの磁気性能は,従来のバルクNdFeB磁石と同等に高い。しかし,高いスパッタリング温度は,PDMS材料を損傷することなくPDMSダイヤフラム上に直接TFPMを堆積することを不可能にする。ここで提案したプロセスは,まず,シリコン基板上にTFPMをスパッタリングし,次にPDMSで被覆し,最後にXeF₂ガスを用いてシリコンをエッチングする。XeF₂エッチングプロセス中の高い基板温度は,TFPMの磁気特性を劣化させ,またPDMS層からTFPMの部分的な分離を引き起こした。エッチング圧力に対するXeF₂エッチングプロセス中の基板の温度変化,及びTFPMならびにPDMSダイアフラムの機械的特性と磁気特性を実験的に評価した。基板温度は,このようにTFPMの層間剥離と磁気性能の両方の低下を回避し,XeF₂エッチングを減圧することにより下げることができる。評価結果は,PDMSダイアフラムとTFPMが付着残存していただけではなく,また,それらの機械的及び磁気的特性を保持していたことを示した。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *永久磁石 ,  *ポリジメチルシロキサン ,  *ダイヤフラム ,  電気機械 ,  マイクロポンプ ,  *MEMS ,  ウエハ【IC】 ,  エッチング
準シソーラス用語： エネルギーハーベスタ ,  シリコン基板 ,  *ネオジウム磁石

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ ,  薄膜 ,  NdFeB ,  磁石