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J-GLOBAL ID：201502287162445207   整理番号：15A0403151

高温高速熱アニーリング後の低線量ヒ素/ホウ素打込みシリコンにおける残留欠陥の熱挙動

Thermal Behavior of Residual Defects in Low-Dose Arsenic- and Boron-Implanted Silicon After High-Temperature Rapid Thermal Annealing

著者 (3件)： SAGARA Akihiko (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  UEDONO Akira (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SHIBATA Satoshi (Panasonic Corp., Osaka, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 28  号： 1  ページ： 92-95  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高速熱アニーリング ,  低線量 ,  ヒ素 ,  ホウ素 ,  打込み ,  シリコン ,  残留 ,  欠陥 ,  熱挙動