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J-GLOBAL ID：201502288424920617   整理番号：15A0556077

Ir-およびTi-系SchottkyゲートAlSb/InAs高電子移動度トランジスタのデバイス特性

The device characteristics of Ir- and Ti-based Schottky gates AlSb/InAs high electron mobility transistors

著者 (6件)： CHIU Hsien-Chin (Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  LIN Wen-Yu (Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  HSUEH W.J. (Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN) ,  CHIU Pei-Chin (Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN) ,  HSIN Yue-Ming (Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN) ,  CHYI Jen-Inn (Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, Taiwan, TWN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 55  号： 6  ページ： 890-893  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,耐熱イリジウム(Ir)技術を用いたGaAs半絶縁基板上のInAs/C高電子移動度トランジスタ(HEMT)を提案した。Irゲートは優れた金属仕事関数を示し,それは0.58eVへInAs/AlSbヘテロ構造のSchottky障壁高を増加させるのに有益であった。TiゲートHEMTに比較して,IrゲートHEMTは,その高いSchottky障壁高と高い融点により,高いしきい値電圧と低いゲート漏れ電流を示す。さらに,TiとAs拡散が緩和されるので,IrゲートHEMTは,ホットキャリヤ応力のもとでDC特性の明らかな安定性改善も示す。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  イリジウム ,  チタン ,  *Schottky障壁 ,  *HEMT ,  キャリア移動度 ,  素子構造 ,  仕事関数 ,  ホットキャリア ,  信頼性 ,  ヒ化インジウム ,  アンチモン化アルミニウム ,  ヘテロ接合 ,  *電流電圧特性 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： Schottky障壁高さ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ir ,  Ti ,  ゲート ,  InAs ,  高電子移動度トランジスタ ,  デバイス特性