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J-GLOBAL ID：201502288651014398   整理番号：15A0531685

GaAsナノワイヤFETおよびカーボンナノチューブ素子の電流雑音特性

Current Noise Characteristics in GaAs-based Nanowire FETs and Carbon Nanotube Devices

著者 (4件)： 井上慎也 ,  葛西誠也 ,  SETIADI Agung (大阪大 大学院工学研究科) ,  赤井恵 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 442(ED2014 138-152)  ページ： 57-61  発行年： 2015年01月29日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単一分子の電荷ダイナミクス検出を目指し,単一分子を表面に分散させたGaAsナノワイヤFETおよびカーボンナノチューブ(CNT)ネットワークの電流雑音について評価検討した結果について報告する。ショットキーゲートGaAsナノワイヤFETは一般的に1/f雑音を示すが,テトラフェニルポルフィリン分子(TPP)を表面に分散しその吸収帯波長近辺の光照射条件において1/f²スペクトルをもつローレンツ型雑音が重畳した。1/f²スペクトル雑音はCNTネットワーク表面に燐モリブデン酸分子(PMo12)を分散させた場合にも観測された。ローレンツ型雑音は離散事象の反映であり,単一分子の離散電荷状態を反映したものと考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  ナノワイヤ ,  雑音 ,  雑音特性 ,  接合形FET ,  Schottky障壁 ,  離散系 ,  光照射 ,  *カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： *GaAs ,  Schottkyゲート電界効果トランジスタ ,  *カーボンナノチューブFET ,  *ナノワイヤFET ,  電流雑音 ,  離散事象系

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• 例えば "Visions for a molecular future", Nature Nanotech., vol.8, 2013, p.385, S. V. Aradhya and L. Benkataraman, "Single-molecule junctions beyond electronic transport," Nature tech., vol.8, p.399, 2013.
• W. U. Wang, C. Chen, K. Lin, Y. Fand, and C. Lieber, "Label-free detection of small-molecule -protein interactions by using nanowire nanosensors," PNAS, vol.102, p.3208, 2005.
• J. Kim, S. D. Oh, J. W. Kim, D. H. Shin, S. Kim and S.-H. Choi, "Graphene/Si-nanowire hetero- structure molecular sensors," Sci. Rep., vol.4, p.5384, 2014.
• A. K. Wanekaya, W. Chen, N. V. Myung, and A. Mulchandani, "Nanowire-Based Electrochemical Biosensors," Electroanalysis, vol.18, p.533, 2006.
• Y. Shiratori and S. Kasai, "Effect of Size Reduction on Switching Characteristics in GaAs-Based Schottky-Wrap-Gate Quantum Wire Transistors," Jpn. J.Appl. Phys. vol.47, p.3086, 2008.

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  ナノワイヤFET ,  カーボンナノチューブ ,  雑音特性