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J-GLOBAL ID：201502290188656886   整理番号：15A0228623

Au-n-GaAsコンタクトの帯電に関するAFM研究

AFM study of charging of the Au-n-GaAs contact

著者 (3件)： SHMARGUNOV A.V. (JSC “Scientific Res. Inst. of Semiconductor Devices”, 634034 Tomsk, RUS) ,  BOZHKOV V.G. (JSC “Scientific Res. Inst. of Semiconductor Devices”, 634034 Tomsk, RUS) ,  NOVIKOV V.A. (“Tomsk State University”, 634050 Tomsk, RUS)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 133  ページ： 73-77  発行年： 2015年02月05日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触電位差(CPD)の挙動に関する金属-半導体(Au-n-GaAs)コンタクトの構造的要素の帯電の影響とコンタクトに関わるその他の特性についてAFM法にて調査した。荷電によるCPDの変化は約0.5Vに到達し,バイアス電圧,暴露時間,走査速度,そして材料の厚さと面積に依存する。この荷電は主に金属-半導体界面に蓄積した誘起電荷によると仮定している。しかし電荷は金属の結晶粒界にも蓄積し除外していない。このことは金の膜特性が帯電により変化することから明らかになった。すなわち膜のエッチングレートが増加する。これにより金属膜表面上にレリーフを形成することができ,荷電中の表面全体をプローブ走査するモードにより設定される。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： プローブ ,  電荷 ,  *接触電位差 ,  記憶装置 ,  ヒ化ガリウム ,  *半導体金属接合 ,  金 ,  *原子間力顕微鏡 ,  接触 ,  *帯電 ,  N型半導体 ,  *顕微鏡観察 ,  *エッチング ,  Schottky障壁 ,  バンド構造 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  Kelvinプローブ ,  MOSメモリ ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  GaAs ,  コンタクト ,  荷電 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Au ,  GaAs ,  コンタクト ,  帯電 ,  AFM ,  研究