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J-GLOBAL ID:201502290573629172   整理番号:15A0556272

あらかじめ反らせた基板に基づいたIGBTモジュールのリフロープロセスによる反りと残留応力の最適化

Optimization for warpage and residual stress due to reflow process in IGBT modules based on pre-warped substrate
著者 (3件):
資料名:
巻: 136  ページ: 63-70  発行年: 2015年03月25日 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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直接接着銅板(DBC)と銅基板間の深刻な熱膨張係数(CTE)の違いにより発生する不可避で過酷な基板の反りと応力が,リフロープロセス中に電力用デバイスに誘発される。これらは,デバイスパッケージ周辺の温度が室温からダイ搭載凝固温度まで変化し最終的に室温に戻るときに発生する。現存する反り,応力または歪みは隠れた危険となり得るので,長期信頼性や安定性に影響を与える可能性がある。この論文では,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールにおいて,リフロープロセスにより誘発される反りや残留応力について数値解析と実験的な分析を用いて調査した。あらかじめ銅基板を反らせておくことにより,IGBTに対するリフロープロセス後の最終的な反りと残留応力を効果的に軽減できるが,それを調べるために定量的に検証した。半田材料や構造的な非線形性の粘塑性的挙動を考慮した有限要素解析モデルを確立し,リフロープロセス中の反りと熱応力を予測した。前述した研究は,有限要素解析に基づくシミュレーションにより,リフロープロセスに起因したパッケージ構造全体の反りの軽減に効果的であることが分かり,それを実験による測定で検証できた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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プリント回路  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 

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