不活性な雰囲気でのSiF<sub>4</sub>を用いたSiの選択エッチングによるSiC上へのエピタキシャルグラフェンの成長

RANA Tawhid; CHANDRASHEKHAR M. V. S.; DANIELS Kevin; SUDARSHAN Tangali

文献

J-GLOBAL ID：201502292871267812 整理番号：15A0533138

不活性な雰囲気でのSiF₄を用いたSiの選択エッチングによるSiC上へのエピタキシャルグラフェンの成長

Epitaxial gorwth of graphene on SiC by Si selective etching using SiF₄ in an inert ambient

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=15A0533138&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=15A0533138&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 54 号： 3 ページ： 030304.1-030304.4 発行年： 2015年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

SiC上でテトラフルオロシラン(SiF₄)を用いてシリコンを選択的にエッチングすることでエピタキシャルグラフェンが出来ることを紹介する。アルゴン中のSiF₄が1400°C又はそれ以上の温度で選択的にシリコンをエッチングし,カーボンをグラフェンとして残す。アルゴン中60分,300Torrで処理したSiCのラマンスペクトルはグラフェンのG-ピークを示さないが,SiF₄の添加で僅か1分の処理で明瞭なG-ピークが観察された。SiF4を使用することで素早いシリコンの除去がなされていることを示す。シリコンの選択的エッチングはGibbsの自由エネルギーで説明され,ここではシリコンがカーボンに較べて優先的にSiF₄で除去される。(翻訳著者抄録)

, , , , , , ,

無機化合物一般及び元素

引用文献 (20件)：

B. K. Daas, S. U. Omar, S. Shetu, K. M. Daniels, S. Ma, T. S. Sudarshan, and M. V. S. Chandrashekhar, Cryst. Growth Des. 12, 3379 (2012).
K. V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G. L. Kellogg, L. Ley, J. L. McChesney, T. Ohta, S. A. Reshanov, and J. Röhrl, Nat. Mater. 8, 203 (2009).
B. K. Daas, W. K. Nomani, K. M. Daniels, T. S. Sudarshan, G. Koley, and M. V. S. Chandrashekhar, Mater. Sci. Forum 717-720, 665 (2012).
K. M. Daniels, B. K. Daas, N. Srivastava, C. Williams, R. M. Feenstra, T. S. Sudarshan, and M. V. S. Chandrashekhar, Mater. Sci. Forum 717-720, 661 (2012).
T. Rana, M. V. S. Chandrashekhar, and T. S. Sudarshan, Phys. Status Solidi A 209, 2455 (2012).

, , , , , ,

前のページに戻る

不活性な雰囲気でのSiF4を用いたSiの選択エッチングによるSiC上へのエピタキシャルグラフェンの成長

不活性な雰囲気でのSiF₄を用いたSiの選択エッチングによるSiC上へのエピタキシャルグラフェンの成長