LI Xiuyan について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
YAJIMA Takeaki について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
NISHIMURA Tomonori について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
NAGASHIO Kosuke について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
TORIUMI Akira について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
電子情報通信学会技術研究報告 について
酸化ハフニウム について
二酸化ケイ素 について
浄化 について
動特性 について
空格子点 について
境界層 について
誘電材料 について
反応拡散系 について
ゲートスタック について
二酸化シリコン について
界面層 について
拡散反応系 について
高k材料 について
酸素空格子点 について
半導体集積回路 について
HfO2 について
SiO2 について
Si について
ゲートスタック について
現象 について
定式化 について