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J-GLOBAL ID：201502295218488292   整理番号：15A0458258

HfO₂/SiO₂/SiゲートスタックにおけるSiO₂スカベンジング現象の定式化

Analytical formulation of interfacial SiO₂ scavenging in HfO₂/SiO₂/Si stacks

著者 (5件)： LI Xiuyan (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAJIMA Takeaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIMURA Tomonori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGASHIO Kosuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 421(SDM2014 135-146)  ページ： 1-4  発行年： 2015年01月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂/SiO₂/SiスタックのSiO₂界面の浄化(scavenging)動特性を,O及びSi両方の原子拡散に加えて,SiO₂/Si界面反応に焦点を合わせて研究した。SiO₂/Si界面は,Si基板の助力を得て酸素空格子点拡散を,SiO₂からのSi解放に変換する段階として役に立つ。拡散動力学と可能な反応の両方をベースにして,高kゲートスタックでの2段階SiO₂界面層浄化用の解析モデルを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *二酸化ケイ素 ,  *浄化 ,  動特性 ,  空格子点 ,  境界層 ,  誘電材料 ,  反応拡散系
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  *二酸化シリコン ,  界面層 ,  拡散反応系 ,  高k材料 ,  酸素空格子点

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (8件)：

• V. Misra, G. P. Beuss, and H. Zhong, "Use of metal-oxide-semiconductor capacitors,"Appl. Phys. Lett., vol. 78, pp. 4166-4168, 2001.
• M. P. Agustin, H. Alshareef, M. A. Q-Lopez, and S. Stemmer, "Influence of AlN layers," Appl. Phys. Lett., vol. 89, pp. 041906.1-041906.3,2006.
• T. Ando," Ultimate Scaling of High-k Gate Dielectrics:" Materials, vol. 5 pp. 478-500, 2012.
• A. Nichau, A. Schafer, L. Knoll, S. Wirths, T. Schram, L. Ragnarsson, and et al, "Reduction of silicon dioxide interfacial layer," Microelectronic Engineering, pp., 109 -112, 2013.
• X. Li, T. Yajima, T. Nishimura, K. Nagashio, A. Toriumi, "HfO₂-assited interfacial SiO₂ reduction, " Thin Solid Films, vol. 557, pp. 272-275, 2014.

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  SiO2 ,  Si ,  ゲートスタック ,  現象 ,  定式化