特許

J-GLOBAL ID：201503000298313882

パターン形成方法

発明者： 荻原 勤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-103330
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232501
特許番号：特許第5710546号
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 自己組織化を用いたパターン形成方法であって、 酸不安定基で置換された水酸基または酸不安定基で置換されたカルボキシル基を含む有機基を置換基として持つケイ素含有化合物を含有するポリシロキサンを主鎖とするケイ素含有膜形成用組成物を、被加工基板上に塗布、加熱してケイ素含有膜を形成する工程、 該ケイ素含有膜に対して高エネルギー線でパターンを露光、加熱処理する工程、 自己組織化が可能なポリマーを前記ケイ素含有膜上に塗布し、ポリマー膜を形成する工程、 該ポリマー膜を加熱処理により自己組織化し、ミクロドメイン構造を形成する工程、 該ミクロドメイン構造を形成したポリマー膜をドライエッチングすることによりパターンを形成する工程、 該ポリマー膜のパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記ケイ素含有膜にパターン転写する工程、及び 該ケイ素含有膜に転写されたパターンをマスクとしてドライエッチングにより前記被加工基板にパターン転写する工程を含むことを特徴とする自己組織化を用いたパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  C08G 77/04 ( 200 6.01) ,  B05D 3/02 ( 200 6.01) ,  B05D 3/10 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/302 105 A ,  C08G 77/04 ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 3/10 C

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 下層組成物および下層を像形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-213653   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー., ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
• 下層組成物および下層を像形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-211852   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー., ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
• 自己組織化膜、自己組織化ポリマー薄膜および有機ケイ素化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-272110   出願人：財団法人川村理化学研究所

審査官引用 (4件)

• 下層組成物および下層を像形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-213653   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー., ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
• 容量結合高周波プラズマ誘電体エッチングチャンバにおけるアドバンスドパターニングフィルムを用いたエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-182120   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 自己組織化膜、自己組織化ポリマー薄膜および有機ケイ素化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-272110   出願人：財団法人川村理化学研究所
• 下層組成物および下層を像形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-211852   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー., ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー