特許
J-GLOBAL ID：201503001091519860
サセプターおよび気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-071994
公開番号（公開出願番号）：特開2015-195259
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：
【課題】 成長基板の温度ムラを抑制して半導体素子の歩留まりの向上を図ったサセプターおよび気相成長装置を提供することである。【解決手段】 サセプター100は、誘導加熱により加熱されるものである。サセプター100は、成長基板S1を載置するための基板載置部110を有する。基板載置部110は、底面120と内側面130とを有する。底面120は、成長基板S1を支持するための基板支持部150と、底面120の少なくとも一部から内側面130の少なくとも一部にわたる肉盛部140と、を有する。そして、肉盛部140の上端部141から底面120までの距離(高さY1)は、基板支持部150の上面151から底面120までの距離(高さH1)よりも小さい。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
誘導加熱により加熱されるサセプターにおいて、
成長基板を載置するための基板載置部を有し、
前記基板載置部は、
底面と内側面とを有し、
前記底面は、
成長基板を支持するための基板支持部と、
前記底面の少なくとも一部から前記内側面の少なくとも一部にわたる肉盛部と、
を有し、
肉盛部のうち底面からの距離が最も大きい箇所から前記底面までの距離は、基板支持部のうち底面からの距離が最も大きい箇所から前記底面までの距離よりも小さいこと
を特徴とするサセプター。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, H01L 21/683
H01L21/205
, C23C16/46
, H01L21/68 N
4K030GA02
, 4K030KA24
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045BB02
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045EK03
, 5F045EK21
, 5F045EM02
, 5F045EM09
, 5F131AA02
, 5F131BA04
, 5F131CA03
, 5F131EA24
, 5F131EB53
, 5F131EB54
, 5F131EB67
, 5F131EB78
