ポリイミド積層構造体及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：佐々木一也 , 成瀬勝夫 , 中村智廣 , 佐野英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-062776
公開番号（公開出願番号）：特開2015-182393
出願日： 2014年03月25日
公開日（公表日）： 2015年10月22日
要約：

【課題】反りが抑制されると共に、樹脂基材の分離を容易かつ簡便に行うことができるポリイミド積層構造体、及びその製造方法を提供する。【解決手段】熱膨張係数が1〜10ppm/Kの支持体と、支持体の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有する第1のポリイミド層と、支持体の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有する第2のポリイミド層とを備えて、支持体上に第1のポリイミド層と第2のポリイミド層とが順次積層されており、第1のポリイミド層と第2のポリイミド層との界面で分離可能にしたことを特徴とするポリイミド積層構造体であり、また、ポリイミド又はポリイミド前駆体の樹脂溶液を塗布・乾燥し、加熱処理して、上記の各ポリイミド層を形成するポリイミド積層構造体の製造方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

熱膨張係数が1〜10ppm/Kの支持体と、支持体の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有する第1のポリイミド層と、支持体の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有する第2のポリイミド層とを備えて、支持体上に第1のポリイミド層と第2のポリイミド層とが順次積層されており、第1のポリイミド層と第2のポリイミド層との界面で分離可能にしたことを特徴とするポリイミド積層構造体。

IPC (1件)：

B32B 27/34

FI (1件)：

B32B27/34

Fターム (22件)：

4F100AG00 , 4F100AK49B , 4F100AK49C , 4F100AR00A , 4F100BA03 , 4F100EH46B , 4F100EH46C , 4F100EJ42B , 4F100EJ42C , 4F100JA02A , 4F100JA02B , 4F100JA02C , 4F100JK06 , 4F100JK07B , 4F100JK07C , 4F100JL04 , 4F100JL14 , 4F100JN01C , 4F100JN18C , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4F100YY00C

引用特許：

審査官引用 (6件)

金属箔ポリイミド積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-187191 出願人：旭化成イーマテリアルズ株式会社, 株式会社ピーアイ技術研究所
積層体、積層体の製造方法、素子用基板の製造方法、素子用基板、素子の製造方法及び素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2015-523038 出願人：エルジー・ケム・リミテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-181829 出願人：株式会社日立ディスプレイズ

全件表示

前のページに戻る