特許

J-GLOBAL ID：201503001422022936

n型半導体高分子化合物及びその製造方法

発明者： 森 秀晴 ,  中林 千浩 ,  山田 将也
出願人/特許権者： 国立大学法人山形大学
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-172198
公開番号（公開出願番号）：特開2015-040254
出願日： 2013年08月22日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
要約：

【課題】直接アリール化反応により合成することができるナフタレンビスイミド骨格を含有するn型半導体高分子化合物及びこの製造方法を提供。【解決手段】パラジウム触媒、リン系触媒配位子、アルカリ金属の無機塩及びカルボン酸の存在下での直接アリール化反応により、一般式(1)で表されるナフタレンビスイミド骨格を含むモノマーを繰り返し単位として有するn型半導体高分子化合物を合成する。(式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、脂肪族系又は芳香族系置換基である。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換又は無置換の芳香族環である。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるナフタレンビスイミド骨格を含むモノマーを繰り返し単位として有することを特徴とするn型半導体高分子化合物。

IPC (1件)：

C08G 61/12

FI (1件)：

C08G61/12

Fターム (5件)：

4J032BA15 ,  4J032BB01 ,  4J032BB09 ,  4J032BC03 ,  4J032CG01