特許
J-GLOBAL ID：201503001715263572
導電性薄膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-164264
公開番号（公開出願番号）：特開2013-256718
特許番号：特許第5764171号
出願日： 2013年08月07日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】波長550nmの可視光の反射率が50%以下で、基材表面に被覆して形成される窒化アルミニウムを基とする導電性薄膜であって、
Mnを2at%以上25at%以下、Nを10at%以上50at%未満含有し、前記Mn,Nの各含有量(at%:原子濃度)を、[Mn]、[N]として表したとき、10/15×[Mn]+50/15<[N]<20/18×[Mn]+500/18を満足することを特徴とする導電性薄膜。
IPC (3件)：
C23C 14/06 ( 200 6.01)
, H01B 5/14 ( 200 6.01)
, H01B 13/00 ( 200 6.01)
C23C 14/06 A
, H01B 5/14 Z
, H01B 13/00 503 Z
出願人引用 (8件)
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耐摩耗性非晶質硬質膜及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-068215
出願人：増本健, 井上明久, ワイケイケイ株式会社
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薄膜製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-296186
出願人：株式会社アルバック
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スパッタターゲット
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-218583
出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (8件)
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耐摩耗性非晶質硬質膜及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-068215
出願人：増本健, 井上明久, ワイケイケイ株式会社
-
薄膜製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-296186
出願人：株式会社アルバック
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スパッタターゲット
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-218583
出願人：株式会社東芝
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引用文献：
出願人引用 (2件)
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"Optical properties of manganese doped amorphous and crystalline aluminum nitride films"
-
"SIMS and CL characterization of manganese-doped aluminum nitride films"
審査官引用 (2件)
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"Optical properties of manganese doped amorphous and crystalline aluminum nitride films"
-
"SIMS and CL characterization of manganese-doped aluminum nitride films"
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