特許

J-GLOBAL ID：201503001934096916

SiC種結晶の加工変質層の除去方法、SiC種結晶及びSiC基板の製造方法

発明者： 矢吹 紀人 ,  鳥見 聡 ,  野上 暁
出願人/特許権者： 東洋炭素株式会社
代理人 (1件)： 桂川 直己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-074742
公開番号（公開出願番号）：特開2015-196616
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2015年11月09日
要約：

【課題】切断加工されたSiC種結晶を用いてMSE法を行う場合であっても成長速度が低下しない方法を提供する。【解決手段】準安定溶媒エピタキシー法(MSE法)の種結晶として用いられるSiC種結晶を、Si雰囲気下で加熱して表面をエッチングすることで、切断加工により生じた加工変質層を除去する。SiC種結晶に生じている加工変質層はMSE法での成長を阻害するため、この加工変質層を除去することで成長速度の低下を防止できる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

準安定溶媒エピタキシー法の種結晶として用いられるSiC単結晶の、切断加工により生じた加工変質層を除去するための方法であって、 SiC種結晶の表面をSi雰囲気下で加熱することでエッチングするエッチング工程を含むことを特徴とするSiC種結晶の加工変質層の除去方法。

IPC (3件)：

C30B 33/12 ,  C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (3件)：

C30B33/12 ,  C30B29/36 A ,  C30B19/04

Fターム (22件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EG03 ,  4G077EG26 ,  4G077FG04 ,  4G077FG13 ,  4G077FG17 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA22 ,  4G077QA52 ,  4G077QA71 ,  4G077QA72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-187415   出願人：学校法人関西学院
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-004837   出願人：トヨタ自動車株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター