特許
J-GLOBAL ID：200903030476324671

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板

発明者：
金子 忠昭

金子 忠昭 について


出願人/特許権者：
学校法人関西学院

学校法人関西学院 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-187415
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016691
出願日： 2006年07月07日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】単結晶SiC基板の炭素面のみならずケイ素面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も低い表面改質方法を熱エッチングで提供する。【解決手段】タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるように上下が勘合した収納容器16に単結晶SiC基板15を収納する。それとともに、加熱室を予め減圧下で1500°C以上2300°C以下の温度に調整しておく。そして、収納容器16を加熱室へ移動することにより、収納容器16の内部をシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で1500°C以上2300°C以下の温度で加熱処理し、単結晶SiC基板15の表面を分子レベルに平坦化熱エッチングする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
単結晶炭化ケイ素基板の表面の平坦化工程としての機械的及び化学的研磨(CMP)を必要とせずに単結晶炭化ケイ素バルクインゴットより直接切り出した単結晶炭化ケイ素ウエファーの基板表面欠陥の除去を行うと共に結晶成長を促がす失われた表面ステップ形状モフオロジーを形成させる単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法であり、 タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるように上下が勘合した収納容器に前記単結晶炭化ケイ素基板を収納するとともに、前記収納容器の内部圧力を外部圧力よりも高く且つシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で1500°C以上2300°C以下の温度で加熱処理する加熱処理工程を含む熱処理工程を備えており、 単結晶炭化ケイ素基板表面を分子レベルの精度で熱エッチングすることが可能と成り機械的切削加工により発生した表面損傷の基板表面欠陥を除去出来るとともに前記切削加工工程で失はれた結晶成長を促がす表面ステップ形状モフオロジーを全面に均一に形成出来るので単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦度をサブナノオ-ダ-の分子レベルに改質を可能とすることを特徴とする単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法。
IPC (4件)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/265 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/08
FI (4件)：
H01L21/324 X ,  H01L21/265 602A ,  C30B29/36 A ,  C30B33/08
Fターム (28件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG10 ,  4G077DA02 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EA08 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EG25 ,  4G077EG26 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA52 ,  4G077QA71 ,  4G077QA72 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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