特許
J-GLOBAL ID:201503002254672331
光変調器
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
田村 爾
, 杉村 純子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-017673
公開番号(公開出願番号):特開2013-156473
特許番号:特許第5773440号
出願日: 2012年01月31日
公開日(公表日): 2013年08月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 マッハツェンダー型光導波路と、該マッハツェンダー型光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光変調部を備え、該光変調部を同一基板上に並列状態で複数配置し、一つの入力導波路を分岐して各光変調部のマッハツェンダー型光導波路に接続すると共に、該マッハツェンダー型光導波路からの出力を合波して一つの出力導波路で出力するように全体の光導波路を形成した光変調器において、
各光変調部の変調電極には、同じ強度の変調信号が印加され、
少なくとも一部の光変調部は、当該光変調部の該変調信号で変調された光出力の振幅値が、他の光変調部で該変調信号により変調された光出力の振幅値が最大となる最大振幅値に対して、1/2n(nは自然数)となるように、当該光変調部の変調電極を含む機械的構造が設定されており、前記光変調部の機械的構造は、変調電極の長さが、他の光変調部のものと比較し、{cos-1(1-21-n)}/π(nは自然数)となるように設定されているか、あるいは、光導波路を形成するリッジの深さ、変調電極を構成する信号電極の幅、信号電極と接地電極との間隔、変調電極と光導波路との位置関係、光導波路の幅、分極反転構造、基板の厚さ、あるいは基板の下の誘電率のいずれかを光変調部毎に調整しており、
さらに、それぞれの半波長電圧の比が[π/{cos-1(1-21-0)}]:[π/{cos-1(1-21-1)}]:・・・:[π/{cos-1(1-21-n)}](nは自然数)で、それぞれの光出力の振幅比が1/20:1/21:・・・:1/2nとなる光変調部であり、かつ、同じ半波長電圧を有する光変調部が2つずつ、2(n+1)個の光変調部を並列に配置した構造とし、同じ半波長電圧を有する光変調部からの光出力の位相差は±π/2、異なる半波長電圧を有する光変調部からの光出力の位相差はπ/2×m(mは整数)で合波するように構成した4n+1QAM光信号を発生させることを特徴とする光変調器。
IPC (3件):
G02F 1/03 ( 200 6.01)
, G02F 1/035 ( 200 6.01)
, H04B 10/548 ( 201 3.01)
FI (3件):
G02F 1/03 502
, G02F 1/035
, H04B 9/00 548
引用特許:
審査官引用 (2件)
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直交振幅変調信号発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-285782
出願人:独立行政法人情報通信研究機構
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光制御素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-270181
出願人:住友大阪セメント株式会社
引用文献:
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