特許
J-GLOBAL ID:201503002376517752
シリカライト-1または複数のゼオライトベータの種結晶の表面から2次成長のみを誘導する結晶成長合成ゲル
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人前田特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-517157
公開番号(公開出願番号):特表2015-526366
出願日: 2012年06月15日
公開日(公表日): 2015年09月10日
要約:
本発明は、シリカライト-1(SL)または複数のゼオライトベータ(BEA)種結晶の表面から2次成長のみを誘導し、結晶成長合成ゲル中または種結晶の表面において結晶核生成反応を誘導しない結晶成長合成ゲルを提供する。前記合成ゲルは、フュームドシリカ、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH)、[(NH4)2SiF6]、KOH、および H2O を含有するか、または、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH)、フッ化水素およびH2O を含有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数のシリカライト-1(SL)種結晶の表面から2次成長のみを誘導し、結晶成長合成ゲル中、または種結晶の表面において結晶核生成反応(crystal nucleation)を誘導しない結晶成長合成ゲルであり、
フュームドシリカ(fumed silica)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(tetraethylammonium hydroxide、TEAOH)、[(NH4)2SiF6]、KOH、およびH2Oを含有することを特徴とする合成ゲル。
IPC (5件):
C01B 37/02
, C30B 29/18
, C30B 7/14
, C01B 33/155
, C01B 39/46
FI (5件):
C01B37/02
, C30B29/18
, C30B7/14
, C01B33/155
, C01B39/46
Fターム (86件):
4G072AA27
, 4G072BB05
, 4G072BB13
, 4G072CC05
, 4G072GG03
, 4G072HH05
, 4G072HH16
, 4G072JJ11
, 4G072JJ21
, 4G072JJ33
, 4G072LL06
, 4G072MM02
, 4G072MM23
, 4G072MM31
, 4G072NN03
, 4G072NN21
, 4G072NN24
, 4G072PP05
, 4G072PP17
, 4G072QQ09
, 4G072RR12
, 4G072RR15
, 4G072RR20
, 4G072TT01
, 4G072TT02
, 4G072UU11
, 4G072UU15
, 4G073BA05
, 4G073BA63
, 4G073BA75
, 4G073BB15
, 4G073BB48
, 4G073BB56
, 4G073BB58
, 4G073BD03
, 4G073BD08
, 4G073BD18
, 4G073BD21
, 4G073CB10
, 4G073CZ25
, 4G073FA10
, 4G073FA11
, 4G073FA15
, 4G073FB14
, 4G073FB36
, 4G073FB42
, 4G073FC03
, 4G073FC06
, 4G073FC12
, 4G073FC25
, 4G073FC27
, 4G073FD01
, 4G073FD02
, 4G073FD15
, 4G073FD17
, 4G073FD20
, 4G073FD21
, 4G073GA03
, 4G073GA08
, 4G073GA09
, 4G073GA11
, 4G073GB02
, 4G073GB03
, 4G073UA01
, 4G073UA06
, 4G073UB40
, 4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BB03
, 4G077CB02
, 4G077CB08
, 4G077ED02
, 4G077EE01
, 4G077EE02
, 4G077HA20
, 4G077KA01
, 4G077KA03
, 4G077KA07
, 4H006AA01
, 4H006AB68
, 4H049VN01
, 4H049VP01
, 4H049VQ21
, 4H049VR44
, 4H049VU28
, 4H049VW02
引用特許:
引用文献:
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