特許
J-GLOBAL ID：201503002731779266
電力用半導体装置の製造方法および電力用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 松井 重明
, 倉谷 泰孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-189653
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056550
出願日： 2013年09月12日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：
【課題】有機保護膜の揮発性成分による汚染を抑制することができる電力用半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】回路部材4の表面に支持部4tを設ける工程と、回路部材4上に有機保護膜で被膜された焼結性金属粒子を含む接合材3Bを塗布する工程と、接合材3B上に半導体素子2を配置する工程と、半導体素子2上に半導体素子2の表面の面積よりも大きい加圧シート50を配置する工程と、加圧シート50を介して半導体素子2の表面を加圧するとともに接合材3Bを加熱することで半導体素子2と回路部材4とを接合する工程と、を備え、接合する工程は支持部4tによって半導体素子2の表面からはみ出た加圧シート50を支持した状態で行われる電力用半導体装置の製造方法とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
回路部材の表面に支持部を設ける工程と、
前記回路部材上に有機保護膜で被膜された焼結性金属粒子を含む接合材を塗布する工程と、
前記接合材上に半導体素子を配置する工程と、
前記半導体素子上に前記半導体素子の表面の面積よりも大きい加圧シートを配置する工程と、
前記加圧シートを介して前記半導体素子の表面を加圧するとともに、前記接合材を加熱することで、前記半導体素子と前記回路部材とを接合する工程と、
を備え、
前記支持部を設ける工程は、前記接合する工程よりも前に行われる工程であり、かつ、前記回路部材の表面上において前記半導体素子が接合される領域の周囲に前記支持部を設ける工程であり、
前記接合する工程は、前記支持部によって、前記半導体素子の表面からはみ出た前記加圧シートを支持した状態で行われる、
電力用半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/52 D
, H01L21/52 B
5F047AA03
, 5F047AA14
, 5F047BA14
, 5F047BA15
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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