特許
J-GLOBAL ID：200903025998983396
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
和泉 良彦
, 小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-012333
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202938
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】半導体素子を金属基板に良好に接合できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】対向する少なくとも一方の主面に、第一の金属からなる第一の金属層11を有する半導体素子1と、半導体素子1を面実装する第二の金属からなる金属基板2とを、平均直径が100nm以下の第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペースト3を用いて接合する半導体装置の製造方法において、前記第一、第二および第三の金属が、金、銀、白金、銅、ニッケル、クロム、鉄、鉛、コバルトのうちのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金、またはこれら金属もしくは合金の混合物からなり、加熱、加圧、あるいはそれらの組合せにより前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層4を介在させて、第一の金属層11と金属基板2とを接合する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
二つの対向する主面のうち少なくとも一方の主面に、第一の金属からなる第一の金属層を有する面実装タイプの半導体素子と、
前記半導体素子を面実装する第二の金属からなる金属基板とを、
平均直径が100nm以下の第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペーストを用いて接合する半導体装置の製造方法において、
前記第一、第二および第三の金属が、金、銀、白金、銅、ニッケル、クロム、鉄、鉛、コバルトのうちのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金、またはこれら金属もしくは合金の混合物からなり、
加熱、加圧、あるいはそれらの組合せにより前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層を介在させて、前記第一の金属層と前記金属基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/40 F
, H01L21/28 301R
4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB36
, 4M104FF02
, 4M104FF13
, 5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BC05
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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