特許
J-GLOBAL ID：201503003955237717
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-263931
公開番号（公開出願番号）：特開2015-122349
出願日： 2013年12月20日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
要約：
【課題】電極層にクラックが入りにくい技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体層2と、半導体層2上に配置された電極層3と、半導体層2の上側に配置されたクラック起点層10と、電極層3およびクラック起点層10に接触するはんだ層4とを備えている。はんだ層4とクラック起点層10との接合力がはんだ層4と電極層3との接合力より小さい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層と、
前記半導体層上に配置された電極層と、
前記半導体層の上側に配置されたクラック起点層と、
前記電極層および前記クラック起点層に接触するはんだ層と、を備え、
前記はんだ層と前記クラック起点層との接合力が前記はんだ層と前記電極層との接合力より小さい、半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F047AA11
, 5F047BA01
, 5F047BC31
