特許
J-GLOBAL ID：201503004274100264
イッテルビウムスパッタリングターゲット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-086186
公開番号（公開出願番号）：特開2013-177687
特許番号：特許第5744958号
出願日： 2013年04月17日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 純度が3N以上のイッテルビウムターゲットであって、乾式の切削加工による最終仕上げ加工後のイッテルビウムターゲットの表面の表面粗さRaが5μm以下であり、同表面のビッカース硬度(Hv)が15以上40以下であることを特徴とするイッテルビウムスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
C23C 14/34 A
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/285 S
