特許
J-GLOBAL ID：201503004645281002
シリコン表面の銅支援反射防止エッチング
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
斉藤 達也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-501724
公開番号（公開出願番号）：特表2015-512566
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2015年04月27日
要約：
反射率を低下させる為にシリコン表面(116)をエッチングする方法(300)。この方法(300)は、シリコン表面(116)上に約20ナノメートルのサイズの銅ナノ粒子を3〜8ナノメートルの粒子間隔で無電解析出させるステップを含む。方法(300)は、シリコン表面(116)を有する基板(112)を容器(122)中に配置するステップ(310)を含む。容器(122)には、シリコン表面(116)を覆うように、ある体積のエッチング溶液(124)が満たされる(340)。エッチング溶液(124)は、酸化剤-エッチャント溶液(146)、例えば、フッ化水素酸及び過酸化水素の水溶液を含む。シリコン表面(116)は、例えば超音波撹拌を用いてエッチング溶液(124)を撹拌することによってエッチングされ(350)、エッチングは、エッチング溶液(124)を加熱するステップ(360)、及びシリコン表面(116)上に光を照射するステップ(365)を含むことができる。エッチング中、銅ナノ粒子によってエッチングプロセスが促進又は推進される。
請求項（抜粋）：
反射率を低下させる為のシリコン表面のテクスチャー加工方法であって:
シリコン表面を有する基板を容器中に配置するステップであって、前記シリコン表面が複数の銅粒子を含むステップと;
前記基板の前記シリコン表面を覆う体積のエッチング溶液を前記容器に満たすステップであって、前記エッチング溶液が、エッチング剤及びケイ素酸化剤を含む酸化剤-エッチャント溶液を含むステップと;
前記容器中で前記エッチング溶液を撹拌することによって前記シリコン表面のエッチングを行うステップであって、それによって前記シリコン表面の反射率が約10パーセント未満まで低下するステップとを含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 31/023
H01L21/306 B
, H01L31/04 280
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD07
, 5F043DD08
, 5F043DD10
, 5F043DD19
, 5F043GG10
, 5F151BA14
, 5F151CB21
, 5F151DA03
, 5F151GA04
, 5F151GA15
