イオン性金属溶液を用いて触媒処理されたシリコン表面の反射防止エッチング

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：河村洌 , 藤森洋介 , 谷征史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-500974
公開番号（公開出願番号）：特表2011-515858
出願日： 2009年03月20日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

シリコン表面(116)をエッチングする方法(300)。方法(300)には、シリコン表面(116)を有する基板(112)を容器(122)に位置決め(310)することを含む。シリコン表面(116)を被覆するように、容器(122)に一定量のエッチング溶液(124)を充填する(330、340)。エッチング溶液(124)には、触媒溶液(140)および酸化剤-エッチング剤溶液(146)、例えば、フッ化水素酸および過酸化水素の水溶液を含む。触媒溶液(140)は、触媒金属の金属含有分子またはイオン種を与える溶液であってよい。シリコン表面(116)を、超音波撹拌などを用いて容器(122)内のエッチング溶液(124)を撹拌することによりエッチング(350)を行い、エッチングには、エッチング溶液(124)の加熱(360)、シリコン表面(116)への光(365)の照射を含むことができる。エッチング中、酸化剤-エッチング剤溶液(146)の存在下において、塩化金酸の希釈溶液などの触媒溶液(140)が、エッチングプロセスを加速または促進する金または銀ナノ粒子などの金属粒子を放出することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン表面をテクスチャ加工する方法であって、容器内にシリコン表面を有する基板を位置決めし、前記基板のシリコン表面をカバーするように、触媒溶液、およびエッチング剤とシリコン酸化剤を含む酸化剤-エッチング剤溶液を含む一定量のエッチング溶液を前記容器に充填し、前記容器内で前記エッチング溶液を撹拌することにより前記シリコン表面をエッチングし、該エッチング中に、前記触媒溶液が複数の金属粒子を供給する方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/306 B

Fターム (12件)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD07 , 5F043DD12 , 5F043EE04 , 5F043EE10 , 5F043GG10 , 5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151CB21 , 5F151GA04 , 5F151GA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-090042 出願人：三洋電機株式会社
多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-419064 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-054506 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

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