特許
J-GLOBAL ID：201503005775259668

窒化物半導体薄膜を備えた複合基板の製造方法

発明者：
小西 繁

小西 繁 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (10件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  中村 綾子 ,  森本 聡二 ,  角田 恭子 ,  田中 祐 ,  徳本 浩一 ,  渡辺 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-176784
公開番号（公開出願番号）：特開2015-046486
出願日： 2013年08月28日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：
【課題】表面にイオン注入することにより生じる反りのある状態の窒化物半導体基板を用いても、支持基板面全体に窒化物半導体薄膜を転写することが可能となる複合基板の製造方法を提供する。【解決手段】表面からイオンを注入して内部にイオン注入層を有する窒化物半導体基板を得る工程であって、窒化物半導体基板がイオン注入した表面を上側としたときに凸状に反った10〜300μmのWarpを有する形状である工程と、窒化物半導体基板のイオン注入した表面と、窒化物半導体基板と貼り合わせる支持基板の表面との少なくとも一方に表面活性化処理を施す工程と、窒化物半導体基板のイオン注入した表面と支持基板の表面とを対向して重ね合わせ、0.5〜5.0MPaの圧力下で貼り合わせる工程と、窒化物半導体基板をイオン注入層に沿って剥離し、支持基板上に窒化物半導体薄膜を転写する工程とを少なくとも含む、窒化物半導体薄膜を支持基板に備えた複合基板の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面からイオンを注入して内部にイオン注入層を有する窒化物半導体基板を得る工程であって、前記窒化物半導体基板が前記イオン注入した表面を上側としたときに凸状に反った10〜300μmのWarpを有する形状である工程と、 前記窒化物半導体基板の前記イオン注入した表面と、前記窒化物半導体基板と貼り合わせる支持基板の表面との少なくとも一方に表面活性化処理を施す工程と、 前記窒化物半導体基板の前記イオン注入した表面と前記支持基板の前記表面とを対向して重ね合わせ、0.5〜5.0MPaの圧力下で貼り合わせる工程と、 前記窒化物半導体基板を前記イオン注入層に沿って剥離し、前記支持基板上に窒化物半導体薄膜を転写する工程と を少なくとも含む、窒化物半導体薄膜を支持基板に備えた複合基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12 ,  B23K 20/00
FI (4件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L27/12 B ,  B23K20/00 310L
Fターム (10件)：
4E167AA17 ,  4E167AA18 ,  4E167AA21 ,  4E167AA29 ,  4E167BA05 ,  4E167BA09 ,  4E167BA10 ,  4E167CA05 ,  4E167CA10 ,  4E167DA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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